SK海力士公布HBM3技术规格带宽665Gbps 容量翻倍 改进散热

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2021年6月10日13:22:0984

SK 海力士刚刚公布了下一代高带宽内存(HBM3)的技术规格,可知其在提升传输速率和增大容量的同时,还引入了散热方面的最新改进。具体说来是,该公司的 HBM3 产品将提供高达 665 Gbps 的带宽、翻倍的容量、以及下一代散热解决方案。在官方产品页上,SK 海力士还分享了一张对比图表,以直观地展示从 HBM2E 到 HBM3 的变化。这家 DRAM 制造商表示,HBM3 有望实现 5.2 Gbps 的 I/O 速率,较现有的 HBM2E 提升 44%,从而大幅提升整体的内存带宽。

凭借更快的 HBM 解决方案,SK 海力士致力于引领高带宽显存市场。而该公司正在开发的 HBM3,还能够以 5.2 Gbps 的 I/O 速率,达成超过 665 GB/s 的带宽。

HMB2E 的带宽仅能达到 460 Gbps(来自:SK Hynix 官网)

与现有的 DRAM 相比,新一代产品将迎来 44% 的性能提升。与此同时,SK 海力士将进一步完善在 HBM2E 上首次引入的相关创新,比如为 HBM3 上配备增强版的散热解决方案。

具体说来是,它能够在温度减少 14 ℃ 的情况下,为 HBM2E 带来 36% 的散热效果改善。所以在 HBM3 上,我们期待着它能够带来更大的惊喜。

英伟达 GA100 Ampere 计算卡

容量方面,我们预计初代 HBM3 会与 HBM2E 持平。后者基于 16Gb DRAM 芯片,由 8-hi 堆栈达成总计 16GB 容量。不过随着 JEDEC 敲定最终规范,我们预期 HBM3 的存储密度会进一步增加。

如果进展顺利,我们或于明年晚些时候,见到搭载 HBM3 高带宽显存的下一代 CNDA 架构的 AMD Instinct 加速卡、英伟达的 Hopper GPU、以及英特尔 Xe-HPC 架构的高性能计算加速器等产品。

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