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三星宣布将于 2022 年第二季度启动 3nm 芯片量产

4月29日消息:据tom‘s hardware报道,周四表示,它有望在本季度(即未来几周)开始使用其3GAE(…

4月29日消息:据tom‘s hardware报道,周四表示,它有望在本季度(即未来几周)开始使用其3GAE(早期3nm级栅极全能)制造工艺进行大批量生产。这一宣布不仅标志着业界首个3纳米级的制造技术开始量产,而且也是第一个使用栅极全包围场效应(GAAFET)的节点。

三星大约在三年前正式推出其3GAE和3GAP节点。当该公司描述其使用3GAE技术生产的256Mb GAAFET SRAM芯片时,三星表示,该工艺将使性能提高30%,功耗降低50%,晶体管密度提高80%。不过,对三星来说,性能和功耗的实际组合将如何发挥,还有待观察。

「这是世界上首次大规模生产的GAA3纳米工艺,将以此提高技术领先地位。」三星在一份声明中写道。

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作者: 兔兔

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